驰拓科技最新成果论文，引发专家热议 SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）以其纳秒级写入速度和无限次擦写次数，是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术，有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。然而，SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性，特别是传统方案从原理上导致刻蚀良率低，严重制约了其大规模生产与应用。 2024年12月7日至11日，国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议在美国旧金山举行，三星、铠侠、欧洲微电子中心IMEC和来自中国大陆的浙江驰拓科技